GH4169高溫合金靜電場處理對中σ相析出行為的影響

你知道嗎？將靜電場應(yīng)用于GH4169高溫合金的時效過程,研究了靜電場對合金σ相沉淀析出行為的影響規(guī)律,并探討了其機(jī)理.

結(jié)果表明,合金在850℃以8 k V/cm靜電場強(qiáng)度進(jìn)行15 min時效,σ相開始在晶界析出;時效1 h晶內(nèi)分布大量γ"相.隨時效時間延長,σ相尺寸增大、體積分?jǐn)?shù)增加,γ"相尺寸亦增大.與未加靜電場時效處理相比,靜電場時效處理后合金中σ相體積分?jǐn)?shù)降低、尺寸減小,γ"相體積分?jǐn)?shù)升高;晶界σ相中Nb原子分?jǐn)?shù)降低、Fe和Cr原子分?jǐn)?shù)升高,晶界σ相點陣常數(shù)c減小、a和b增大.由于靜電場時效處理后合金中平均空位濃度升高,促進(jìn)了Fe和Cr原子擴(kuò)散,同時Fe和Cr原子置換晶界σ相中Nb原子,Nb原子固溶入晶內(nèi).

另一方面,空位濃度的升高增加了γ"相非勻質(zhì)形核幾率,促進(jìn)γ"相析出.同時,空位亦可松弛基體γ相與γ"相的共格畸變,有效抑制了γ"相向σ相轉(zhuǎn)變,增加了強(qiáng)化相γ"相的穩(wěn)定性.