SUS316L不銹鋼表面超疏水微納鎳鍍層定向電沉積工藝優(yōu)化研究

中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院和江蘇科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院專家團(tuán)隊(duì)利用定向電沉積技術(shù)在SUS316L不銹鋼表面設(shè)計(jì)制備了一種超疏水微納鎳鍍層,通過(guò)對(duì)電沉積參數(shù)的優(yōu)化,獲得最佳電沉積工藝參數(shù):初次電沉積電流密度5 A·dm~(-2),電沉積時(shí)間為480 s,結(jié)晶調(diào)節(jié)劑濃度為1.5 mol/L;二次電沉積條件為10 A·dm~(-2),60s。借助SEM、XRD、電化學(xué)測(cè)試技術(shù)、接觸角測(cè)試對(duì)涂層進(jìn)行表征,結(jié)果表明制備的SUS316L不銹鋼表面鎳鍍層陣列微納結(jié)構(gòu)具有典型的花瓣?duì)罘旨?jí)結(jié)構(gòu)和較好的超疏水性能,鎳鍍層陣列微納結(jié)構(gòu)由具有(110)擇優(yōu)取向晶面的針錐陣列結(jié)構(gòu)組成,隨著二次電沉積電流密度的增大,鎳鍍層陣列微納結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)經(jīng)歷從針錐向花瓣結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。